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產(chǎn)品詳細(xì)頁
NeuroNexus 3D電極

NeuroNexus 3D電極

  • 產(chǎn)品型號(hào):Matrix Array
  • 更新時(shí)間:2024-09-19
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產(chǎn)品介紹

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 

3D記錄不同空間位置的神經(jīng)細(xì)胞。
多功能配置、性能可靠。

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 是采用成熟的硅技術(shù)設(shè)計(jì)的新的三維電極,用于像靈長類這樣的大型動(dòng)物的急性和慢性實(shí)驗(yàn)。

Matrix Array™同時(shí)跨越皮質(zhì)層和皮質(zhì)柱,覆蓋大片區(qū)域,記錄大量的神經(jīng)信息。

Matrix Array可以直接使用我們標(biāo)準(zhǔn)的2D硅電極組裝,每一片硅電極的間距和陣列形式都可以定制,可以靈活自如地設(shè)計(jì)出跨越任何解剖結(jié)構(gòu)的3D電極。Matrix Array通過一個(gè)超柔的線纜連接到電極連接器上。

每個(gè)電極都提供了配套的工具(包括測(cè)量工具,模擬裝配,螺絲等),協(xié)助您提高電極記錄的成功率。

從左上角開始順時(shí)針順序:單核Matrix Array™,雙核Matrix Array™,多核Matrix Array™電極與表面電極,單核Matrix Array™與表面電極

 

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array有高度靈活的配置。各種配置都可以擴(kuò)展傳統(tǒng)的記錄區(qū)域,能夠與從腦表面到皮質(zhì)下結(jié)構(gòu)的任何部分相互連接。單個(gè)電極組件,或?yàn)槎鄠€(gè)植入位置選擇雙核組件。使表面電極和植入電極的組合記錄腦表面和腦皮層。可將短和長電極混合在一個(gè)陣列中,以記錄并刺激高達(dá)10毫米深的腦組織結(jié)構(gòu)。

上圖:配置有不同電極長度的單個(gè)Matrix Array™,對(duì)大腦中不同區(qū)域進(jìn)行定位。

 

規(guī)格:

通道數(shù) 64, 128, 256
X 軸跨度 Up to 1.8 mm
Y 軸跨度 0.6 mm - 3 mm
Z 軸跨度 Up to 15 mm
電極間距(見Y軸跨度) 200 μm, 300 μm, 600 μm,800 μm, 1000 μm (訂購時(shí)注明)
線纜長度 30 mm(定制)
電極位點(diǎn)的金屬材質(zhì)
電極厚度 50 μm
提供的Packages 大型動(dòng)物慢性,
小型動(dòng)物慢性,
Smart, MRI, Acute

 

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